IGBT感應(yīng)加熱電源比可控硅中頻電源節(jié)約電能15%-25%，

　　IGBT感應(yīng)加熱電源比可控硅中頻電源節(jié)約電能15%-25%，原因有以下幾個方面：

　　A.逆變器電壓高，電流，電路損失低，這部分可以節(jié)約電能15%。IGBT中頻電源變壓器的功率是2800v，傳統(tǒng)的可控硅中頻電源變壓器的功率是750v，電流減小了四倍，線路損失降低了。

　　B.高功率因素，功率因素大于0.98，無功損耗小，這部分比可控硅中頻電源節(jié)約電能3% -5%。IGBT采用全橋式整流，整流部分不調(diào)整可控硅傳導角，所以整個過程的功率因素大于0.98，無功損耗小。

　　C.爐體熱損耗小，同功率條件下，IGBT比可控硅每批次快15分鐘。在路出口的熱損失占整個過程的3%。因此這部分比可控硅中頻電源節(jié)約3%的能量

　　IGBT感應(yīng)加熱電源 恒功率輸出：可控硅中頻電源帶有電壓和電流調(diào)節(jié)器，IGBT采用頻率和功率調(diào)節(jié)器，它不會受爐料和爐襯厚度的影響。在加熱過程中保持恒功率輸出，尤其是在生產(chǎn)不銹鋼，銅料，呂料和其它非磁性物質(zhì)的時候，IGBT電源具有高超的工作效率。爐襯燒損減少，降低了鑄造成本。