設備穩(wěn)定性高

率先采用英特爾CPLD可編程器件作為中央處理器，具有極高的處理速度，保證了裝置各項功能高效有序的運行，極速保護技術減少損壞的幾率和元器件損失的數(shù)量，提高逆變效率和整機壽命。

電源內部的10V基準電壓采用美國ADI公司的電壓基準源專用集成芯片，讓保護電路運行準確、可靠。

所以，IGBT高頻電源穩(wěn)定性遠遠高于MOSFET電源和電子管電源，設備全壽命成本大大降低。MOSFET電源因為其內部逆變橋由上百個小MOSFET管并聯(lián)而成，通過變壓器進行功率合成等手段，對同步性和器件一致性要求非常高，因而， MOSFET電源故障點較多，反饋速度慢，保護遲緩，一旦發(fā)生故障，損壞元器件較多。

完善的用戶接口：包括光藕隔離的開關量輸入和輸出信號，模擬量輸入、輸出信號采用美國ADI公司專用芯片隔離控制，電源具有對外的報警及故障信號通過BCD8421碼光藕隔離傳送到機床側，可以實時了解電源的運行狀況。

 

設備高控制精度，高效率性

量轉換率高，電子管電源輻射大，對操作人員及周邊設備均有影響，能量轉換率不足60%；MOSFET管電源的能量轉換率為82%左右；IGBT高頻電源能量轉換率大大提高，達到92%，有效降低能耗。

電子管電源只有電壓電流儀表，沒有準確的頻率測量，而IGBT高頻電源的波形純度高，輸出頻率穩(wěn)定，附加效應少，便于工藝控制。

 

設備的低能耗

高可靠性的結構設計，全面的智能化保護系統(tǒng)，選用全球知名品牌元器件，加工時間的縮短、生產能力的提高和感應加熱裝置品質的可靠性使運行成本降低。

各種熱處理工序能耗比較：

工序名稱	每噸零件能耗/（KW·h/t）
	最 高	最 低	平 均	與感應相比
箱式爐低于900℃淬火時	693	242	448
鹽溶爐低于900℃淬火時	1760	712	1250
井式爐低于900℃淬火時	1227	426	748
保護氣氛爐低于900℃淬火時	9965	344	726
鹽溶爐高于1000℃淬火時	4457	1171	2928
調  質	1147	516	844
正  火	535	329	442
退  火	901	420	580
鹽爐生產線	7532	5501	6459
高頻淬火	339	267	327	1.0
中頻淬火	379	124	268
真空淬火	1738	838	1401
氣體滲碳	1958	755	1324	4.4
氣體碳氮共滲	1705	555	1708	5.7
氣體滲氮	1540	451	993	3.3
高濕回火	334	216	290
中低濕回火	198	115	166

 

 

凱隆第三代數(shù)字型感應加熱裝置概述。

   凱隆第三代IGBT電源人機接口采用7寸工業(yè)觸摸屏，該觸摸屏能夠顯示電源工作的實時狀態(tài)及電源參數(shù)（如:直流電壓、直流電流、逆變功率、諧振頻率、水溫等）的實時信息，并且能夠顯示故障報警信息及針對相應報警信息的處理方法，該屏還能顯示能量監(jiān)控的實時曲線。

智能化保護系統(tǒng)：冷卻水壓力不穩(wěn)、溫度過高、三相電源缺相、冷態(tài)工件碰到感應器（接地保護）等情況下，確保電源逆變器禁止輸出功率；實時監(jiān)控系統(tǒng)始終保證IGBT工作在最佳軟開關狀態(tài)，使開關損耗、電壓和電流沖擊、局部溫升等參數(shù)達到最低，既避免了因逆變狀態(tài)偏離最佳時引起的逆變效率降低，又解決IGBT老化加速（如使用一年后莫名損壞）及后期維護成本高等問題。